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    《半導(dǎo)體信息雜志》部級期刊

    Semiconductor Information
    《半導(dǎo)體信息》雜志由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會分立器件專業(yè)協(xié)會 信息產(chǎn)業(yè)部電子第五十五研究所主管,中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會分立器件分會;中國電子科技集團公司第五十五研究所主辦,獲正式刊號(CN ISSN )。本刊創(chuàng)刊于1990年,雙月刊,A4開本,其辦刊宗旨是報道電子領(lǐng)域的最新研究成果,反映電子學科的發(fā)展趨勢,引領(lǐng)電子學科發(fā)展的前沿,并促進電子事業(yè)的發(fā)展。
    雙月刊
    出版周期
    預(yù)計審稿周期:1個月內(nèi)
    雜志簡介 學術(shù)熱點 期刊文獻 相關(guān)雜志

    半導(dǎo)體信息雜志簡介

    主管單位:中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會分立器件專業(yè)協(xié)會 信息產(chǎn)業(yè)部電子第五十五研究所
    出版周期:雙月刊
    出版語言:中文
    主辦單位:中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會分立器件分會;中國電子科技集團公司第五十五研究所
    類別:電子
    創(chuàng)刊時間:1990
    出版地區(qū):江蘇
    曾用名:半導(dǎo)體信息報
    郵編:210016

    《半導(dǎo)體信息》是一本由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會分立器件分會;中國電子科技集團公司第五十五研究所主辦的電子學術(shù)刊物,該雜志為雙月刊,面向國、內(nèi)外公開發(fā)行。主要報道電子相關(guān)領(lǐng)域的研究成果與實踐,該雜志的創(chuàng)辦有利于國內(nèi)外同行探討有創(chuàng)新的學術(shù)觀點,加強國內(nèi)外同行學術(shù)交流。本刊將及時推出該領(lǐng)域的新理論、新技術(shù)、新成果,使國內(nèi)外同行能及時、方便地查閱、引用,為電子研究事業(yè)的發(fā)展作貢獻。

    《半導(dǎo)體信息》雜志一級發(fā)文領(lǐng)域主要有:經(jīng)濟管理、電子電信、自動化與計算機技術(shù)、電氣工程、一般工業(yè)技術(shù)、機械工程、交通運輸工程、理學、文化科學、化學工程。二級發(fā)文領(lǐng)域主要有:經(jīng)濟管理 / 產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟、電子電信 / 物理電子學、電子電信 / 微電子學與固體電子學、電子電信 / 電路與系統(tǒng)、電子電信 / 信息與通信工程、自動化與計算機技術(shù) / 計算機科學與技術(shù)、電子電信 / 通信與信息系統(tǒng)、自動化與計算機技術(shù) / 計算機系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、電氣工程 / 電器、電氣工程 / 電力電子與電力傳動。該雜志與時俱進,開拓進取,保持優(yōu)勢,敢于爭先,開設(shè)了企業(yè)指南、國內(nèi)外半導(dǎo)體技術(shù)與器件、市場動態(tài)等欄目,反映電子領(lǐng)域科研成果和電子實踐經(jīng)驗,為電子工作者和研究人員提供業(yè)務(wù)交流和學術(shù)成果的發(fā)布平臺。

    學術(shù)熱點分析

    影響因子和被引次數(shù)

    期刊他引率和平均引文率

    影響因子:指某一期刊的文章在特定年份或時期被引用的頻率,是衡量學術(shù)期刊影響力的一個重要指標。影響因子越高,代表著期刊的影響力越大。

    被引次數(shù):指某篇論文在一定時間內(nèi)被引用的次數(shù)。被引用次數(shù)越多,說明這篇論文影響力越大,論文的分量越高。

    期刊他引率:指此期刊全部被引用次數(shù)中,被其他刊引用次數(shù)所占的比例。具體算法是:他引率= (被其他刊引用的次數(shù)) / (期刊被引用的總次數(shù))。

    平均引文率:指在某一期刊上發(fā)表的論文被引用的平均次數(shù)。它是研究、學術(shù)績效和研究出版物發(fā)表質(zhì)量的重要指標。

    主要發(fā)文機構(gòu)分析

    序號 機構(gòu)名稱 發(fā)文量
    1 信息產(chǎn)業(yè)部 1

    相關(guān)發(fā)文主題分析

    序號 相關(guān)發(fā)文主題
    1 用戶數(shù);知識產(chǎn)權(quán);司長;通信;通信產(chǎn)業(yè)

    半導(dǎo)體信息期刊文獻

    • 國家意志助推“國芯”起飛 工信部力推補短板工程
    • 美國研究人員采用調(diào)制摻雜技術(shù)顯著提高氧化鎵中的電子遷移率,氧化鎵有望應(yīng)用于高頻通信系統(tǒng)和高能效電力電子等領(lǐng)域
    • 美國美高森美公司推出軍事宇航電極控制用SiC MOSFET功率模塊,具有超低電感、大電流和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點
    • 美國Integra Technologies公司推出S波段雷達應(yīng)用的GaN-on-SiC射頻和微波晶體管
    • 美國Triad射頻系統(tǒng)公司推出8W氮化鎵射頻和微波雙向放大器(BDA)
    • 歐洲電源轉(zhuǎn)換和智能運動大會上的多款氮化鎵功率產(chǎn)品
    • 比利時EpiGaN公司參與歐盟新啟動的“硅基高效毫米波歐洲系統(tǒng)集成平臺”項目,提供的核心GaN/Si射頻材料技術(shù)
    • 寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)和開放式體系架構(gòu)設(shè)計成為降低其尺寸、重量和功耗和提高效率的重要手段
    ,地址:南京市1601信箱43分箱(南京市中山東路524號),郵編:210016。本站僅做歷史信息展示,不提供任何服務(wù)。

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