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    IEEE納米技術(shù)匯刊

    英文名稱:Ieee Transactions On Nanotechnology   國際簡稱:IEEE T NANOTECHNOL
    《Ieee Transactions On Nanotechnology》雜志由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版,本刊創(chuàng)刊于2002年,發(fā)行周期Quarterly,每期雜志都匯聚了全球工程技術(shù)領(lǐng)域的最新研究成果,包括原創(chuàng)論文、綜述文章、研究快報(bào)等多種形式,內(nèi)容涵蓋了工程技術(shù)的各個方面,為讀者提供了全面而深入的學(xué)術(shù)視野,為工程技術(shù)-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC事業(yè)的進(jìn)步提供了有力的支撐。
    中科院分區(qū)
    工程技術(shù)
    大類學(xué)科
    1536-125X
    ISSN
    1941-0085
    E-ISSN
    預(yù)計(jì)審稿速度: 約3.0個月
    雜志簡介 期刊指數(shù) WOS分區(qū) 中科院分區(qū) CiteScore 學(xué)術(shù)指標(biāo) 高引用文章

    IEEE納米技術(shù)匯刊雜志簡介

    出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
    出版語言:English
    TOP期刊:
    出版地區(qū):UNITED STATES
    是否預(yù)警:

    是否OA:未開放

    出版周期:Quarterly
    出版年份:2002
    中文名稱:IEEE納米技術(shù)匯刊

    IEEE納米技術(shù)匯刊(國際簡稱IEEE T NANOTECHNOL,英文名稱Ieee Transactions On Nanotechnology)是一本未開放獲取(OA)國際期刊,自2002年創(chuàng)刊以來,始終站在工程技術(shù)研究的前沿。該期刊致力于發(fā)表在工程技術(shù)領(lǐng)域各個方面達(dá)到最高科學(xué)標(biāo)準(zhǔn)和具有重要性的研究成果。全面反映該學(xué)科的發(fā)展趨勢,為工程技術(shù)事業(yè)的進(jìn)步提供了有力的支撐。期刊嚴(yán)格遵循職業(yè)道德標(biāo)準(zhǔn),對于任何形式的抄襲行為,無論是文字還是圖形,一旦查實(shí),均可能導(dǎo)致稿件被拒絕。

    近年來,來自CHINA MAINLAND、USA、India、Taiwan、South Korea、Iran、GERMANY (FED REP GER)、Italy、France、Spain等國家和地區(qū)的研究者在《Ieee Transactions On Nanotechnology》上發(fā)表了大量的高質(zhì)量文章。該期刊內(nèi)容豐富,包括原創(chuàng)研究、綜述文章、專題觀點(diǎn)、論文預(yù)覽、專家意見等多種類型,旨在為全球該領(lǐng)域研究者提供廣泛的學(xué)術(shù)交流平臺和靈感來源。

    在過去幾年中,該期刊保持了穩(wěn)定的發(fā)文量和綜述量,具體數(shù)據(jù)如下:

    2014年:發(fā)表文章161篇、2015年:發(fā)表文章142篇、2016年:發(fā)表文章124篇、2017年:發(fā)表文章147篇、2018年:發(fā)表文章180篇、2019年:發(fā)表文章129篇、2020年:發(fā)表文章121篇、2021年:發(fā)表文章118篇、2022年:發(fā)表文章106篇、2023年:發(fā)表文章109篇。這些數(shù)據(jù)反映了期刊在全球工程技術(shù)領(lǐng)域的影響力和活躍度,同時也展示了其作為學(xué)術(shù)界和工業(yè)界研究人員首選資源的地位。《Ieee Transactions On Nanotechnology》將繼續(xù)致力于推動工程技術(shù)領(lǐng)域的知識傳播和科學(xué)進(jìn)步,為全球工程技術(shù)問題的解決貢獻(xiàn)力量。

    期刊指數(shù)

    • 影響因子:2.1
    • 文章自引率:0.0833...
    • Gold OA文章占比:8.41%
    • CiteScore:4.8
    • 年發(fā)文量:109
    • 開源占比:0.1101
    • SJR指數(shù):0.435
    • H-index:73
    • SNIP指數(shù):0.783
    • 出版國人文章占比:0.2

    WOS期刊SCI分區(qū)(2023-2024年最新版)

    按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
    學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 192 / 352

    45.6%

    學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 286 / 438

    34.8%

    學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 105 / 140

    25.4%

    學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 109 / 179

    39.4%

    按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
    學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 200 / 354

    43.64%

    學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 255 / 438

    41.89%

    學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 82 / 140

    41.79%

    學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 106 / 179

    41.06%

    中科院分區(qū)表

    中科院SCI期刊分區(qū) 2023年12月升級版
    Top期刊 綜述期刊 大類學(xué)科 小類學(xué)科
    工程技術(shù) 4區(qū)
    ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用
    4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

    CiteScore(2024年最新版)

    CiteScore 排名
    CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
    4.8 0.435 0.783
    學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
    大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 278 / 797

    65%

    大類:Engineering 小類:Computer Science Applications Q2 330 / 817

    59%

    學(xué)術(shù)指標(biāo)分析

    影響因子和CiteScore
    自引率

    影響因子:指某一期刊的文章在特定年份或時期被引用的頻率,是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個重要指標(biāo)。影響因子越高,代表著期刊的影響力越大 。

    CiteScore:該值越高,代表該期刊的論文受到更多其他學(xué)者的引用,因此該期刊的影響力也越高。

    自引率:是衡量期刊質(zhì)量和影響力的重要指標(biāo)之一。通過計(jì)算期刊被自身引用的次數(shù)與總被引次數(shù)的比例,可以反映期刊對于自身研究內(nèi)容的重視程度以及內(nèi)部引用的情況。

    年發(fā)文量:是衡量期刊活躍度和研究產(chǎn)出能力的重要指標(biāo),年發(fā)文量較多的期刊可能擁有更廣泛的讀者群體和更高的學(xué)術(shù)聲譽(yù),從而吸引更多的優(yōu)質(zhì)稿件。

    期刊互引關(guān)系
    序號 引用他刊情況 引用次數(shù)
    1 APPL PHYS LETT 177
    2 IEEE T ELECTRON DEV 134
    3 IEEE T NANOTECHNOL 128
    4 NANO LETT 107
    5 J APPL PHYS 100
    6 ACS NANO 91
    7 NATURE 90
    8 SCIENCE 77
    9 SENSOR ACTUAT B-CHEM 74
    10 IEEE ELECTR DEVICE L 70
    序號 被他刊引用情況 引用次數(shù)
    1 IEEE T NANOTECHNOL 128
    2 IEEE ACCESS 89
    3 IEEE T ELECTRON DEV 88
    4 MICROELECTRON J 47
    5 IEEE SENS J 44
    6 NANOTECHNOLOGY 42
    7 MICROSYST TECHNOL 38
    8 IEEE T VLSI SYST 37
    9 J ELECTRON MATER 37
    10 MATER RES EXPRESS 36

    高引用文章

    • An Improved Particle Filter With a Novel Hybrid Proposal Distribution for Quantitative Analysis of Gold Immunochromatographic Strips引用次數(shù):44
    • Graphene-Silicon Schottky Diodes for Photodetection引用次數(shù):26
    • One-Step Synthesis of Au/SnO2/RGO Nanocomposites and Their VOC Sensing Properties引用次數(shù):21
    • Perovskite Methylammonium Lead Trihalide Heterostructures: Progress and Challenges引用次數(shù):18
    • Digital Metasurface Based on Graphene: An Application to Beam Steering in Terahertz Plasmonic Antennas引用次數(shù):17
    • Engineering Hexagonal Array of Nanoholes for High Sensitivity Biosensor and Application for Human Blood Group Detection引用次數(shù):14
    • Highly Sensitive Ammonia Sensors Based on Ag-Decorated WO3 Nanorods引用次數(shù):14
    • Parasitic Effect Analysis in Memristor-Array-Based Neuromorphic Systems引用次數(shù):13
    • Challenges and Limitations of CMOS Scaling for FinFET and Beyond Architectures引用次數(shù):12
    • Understanding Energy Efficiency Benefits of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors for Digital VLSI引用次數(shù):12
    若用戶需要出版服務(wù),請聯(lián)系出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。

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