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    半導體加工中的材料科學

    英文名稱:Materials Science In Semiconductor Processing   國際簡稱:MAT SCI SEMICON PROC
    《Materials Science In Semiconductor Processing》雜志由Elsevier Ltd出版社出版,本刊創刊于1998年,發行周期Bimonthly,每期雜志都匯聚了全球工程技術領域的最新研究成果,包括原創論文、綜述文章、研究快報等多種形式,內容涵蓋了工程技術的各個方面,為讀者提供了全面而深入的學術視野,為工程技術-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC事業的進步提供了有力的支撐。
    中科院分區
    工程技術
    大類學科
    1369-8001
    ISSN
    1873-4081
    E-ISSN
    預計審稿速度: 約1.7個月 約3.7周
    雜志簡介 期刊指數 WOS分區 中科院分區 CiteScore 學術指標 高引用文章

    半導體加工中的材料科學雜志簡介

    出版商:Elsevier Ltd
    出版語言:English
    TOP期刊:
    出版地區:ENGLAND
    是否預警:

    是否OA:未開放

    出版周期:Bimonthly
    出版年份:1998
    中文名稱:半導體加工中的材料科學

    半導體加工中的材料科學(國際簡稱MAT SCI SEMICON PROC,英文名稱Materials Science In Semiconductor Processing)是一本未開放獲取(OA)國際期刊,自1998年創刊以來,始終站在工程技術研究的前沿。該期刊致力于發表在工程技術領域各個方面達到最高科學標準和具有重要性的研究成果。全面反映該學科的發展趨勢,為工程技術事業的進步提供了有力的支撐。期刊嚴格遵循職業道德標準,對于任何形式的抄襲行為,無論是文字還是圖形,一旦查實,均可能導致稿件被拒絕。

    近年來,來自CHINA MAINLAND、India、South Korea、Turkey、Mexico、Japan、Iran、USA、Saudi Arabia、Italy等國家和地區的研究者在《Materials Science In Semiconductor Processing》上發表了大量的高質量文章。該期刊內容豐富,包括原創研究、綜述文章、專題觀點、論文預覽、專家意見等多種類型,旨在為全球該領域研究者提供廣泛的學術交流平臺和靈感來源。

    在過去幾年中,該期刊保持了穩定的發文量和綜述量,具體數據如下:

    2014年:發表文章518篇、2015年:發表文章753篇、2016年:發表文章390篇、2017年:發表文章455篇、2018年:發表文章412篇、2019年:發表文章468篇、2020年:發表文章485篇、2021年:發表文章873篇、2022年:發表文章706篇、2023年:發表文章635篇。這些數據反映了期刊在全球工程技術領域的影響力和活躍度,同時也展示了其作為學術界和工業界研究人員首選資源的地位。《Materials Science In Semiconductor Processing》將繼續致力于推動工程技術領域的知識傳播和科學進步,為全球工程技術問題的解決貢獻力量。

    期刊指數

    • 影響因子:4.2
    • 文章自引率:0.0487...
    • Gold OA文章占比:5.21%
    • CiteScore:8
    • 年發文量:635
    • 開源占比:0.0145
    • SJR指數:0.732
    • H-index:49
    • SNIP指數:0.992
    • OA被引用占比:0.0123...
    • 出版國人文章占比:0.21

    WOS期刊SCI分區(2023-2024年最新版)

    按JIF指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
    學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 89 / 352

    74.9%

    學科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q2 158 / 438

    64%

    學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 51 / 179

    71.8%

    學科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q2 25 / 79

    69%

    按JCI指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
    學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 113 / 354

    68.22%

    學科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q2 125 / 438

    71.58%

    學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 47 / 179

    74.02%

    學科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q1 19 / 79

    76.58%

    中科院分區表

    中科院SCI期刊分區 2023年12月升級版
    Top期刊 綜述期刊 大類學科 小類學科
    工程技術 3區
    ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態物理
    3區 3區 3區 3區

    CiteScore(2024年最新版)

    CiteScore 排名
    CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
    8 0.732 0.992
    學科類別 分區 排名 百分位
    大類:Engineering 小類:Mechanical Engineering Q1 87 / 672

    87%

    大類:Engineering 小類:Condensed Matter Physics Q1 59 / 434

    86%

    大類:Engineering 小類:Mechanics of Materials Q1 60 / 398

    85%

    大類:Engineering 小類:General Materials Science Q1 100 / 463

    78%

    學術指標分析

    影響因子和CiteScore
    自引率

    影響因子:指某一期刊的文章在特定年份或時期被引用的頻率,是衡量學術期刊影響力的一個重要指標。影響因子越高,代表著期刊的影響力越大 。

    CiteScore:該值越高,代表該期刊的論文受到更多其他學者的引用,因此該期刊的影響力也越高。

    自引率:是衡量期刊質量和影響力的重要指標之一。通過計算期刊被自身引用的次數與總被引次數的比例,可以反映期刊對于自身研究內容的重視程度以及內部引用的情況。

    年發文量:是衡量期刊活躍度和研究產出能力的重要指標,年發文量較多的期刊可能擁有更廣泛的讀者群體和更高的學術聲譽,從而吸引更多的優質稿件。

    期刊互引關系
    序號 引用他刊情況 引用次數
    1 APPL PHYS LETT 835
    2 J APPL PHYS 647
    3 J ALLOY COMPD 478
    4 APPL SURF SCI 451
    5 MAT SCI SEMICON PROC 380
    6 SENSOR ACTUAT B-CHEM 366
    7 RSC ADV 326
    8 THIN SOLID FILMS 318
    9 PHYS REV B 289
    10 J PHYS CHEM C 286
    序號 被他刊引用情況 引用次數
    1 J MATER SCI-MATER EL 470
    2 MATER RES EXPRESS 446
    3 MAT SCI SEMICON PROC 380
    4 J ALLOY COMPD 269
    5 CERAM INT 226
    6 APPL SURF SCI 203
    7 J ELECTRON MATER 130
    8 APPL PHYS A-MATER 117
    9 OPTIK 112
    10 RSC ADV 106

    高引用文章

    • Recent advances in perovskite oxides for anion-intercalation supercapacitor: A review引用次數:42
    • Enhanced photocatalytic performance of visible-light active graphene-WO3 nanostructures for hydrogen production引用次數:36
    • Photocatalytic, Fenton and photo-Fenton degradation of RhB over Z-scheme g-C3N4/LaFeO3 heterojunction photocatalysts引用次數:31
    • Photocatalytic degradation of methylene blue in aqueous solution by using ZnO-SnO2 nanocomposites引用次數:31
    • Recent advances in diamond power semiconductor devices引用次數:25
    • Recent progress in the growth of beta-Ga2O3 for power electronics applications引用次數:23
    • Materials and processing issues in vertical GaN power electronics引用次數:21
    • Review of technology for normally-off HEMTs with p-GaN gate引用次數:21
    • Improving microstructural properties and minimizing crystal imperfections of nanocrystalline Cu2O thin films of different solution molarities for solar cell applications引用次數:20
    • Facilely synthesized Cu:PbS nanoparticles and their structural, morphological, optical, dielectric and electrical studies for optoelectronic applications引用次數:20
    若用戶需要出版服務,請聯系出版商:ELSEVIER SCI LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OXON, OX5 1GB。

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