所屬分類： 加入收藏 SCIE 期刊 工程技術(shù) 中科院 4區(qū) JCR Q3
半導(dǎo)體科技
半導(dǎo)體科技雜志簡介
- 出版商：IOP Publishing Ltd.
- 出版語言：English
- TOP期刊：否
- 出版地區(qū)：ENGLAND
- 是否預(yù)警：否
- 是否OA：未開放
- 出版周期：Monthly
- 出版年份：1986
- 中文名稱：半導(dǎo)體科技
- 是否OA：未開放
半導(dǎo)體科技（國際簡稱SEMICOND SCI TECH，英文名稱Semiconductor Science And Technology）是一本未開放獲取（OA）國際期刊，自1986年創(chuàng)刊以來，始終站在工程技術(shù)研究的前沿。該期刊致力于發(fā)表在工程技術(shù)領(lǐng)域各個方面達(dá)到最高科學(xué)標(biāo)準(zhǔn)和具有重要性的研究成果。全面反映該學(xué)科的發(fā)展趨勢，為工程技術(shù)事業(yè)的進(jìn)步提供了有力的支撐。期刊嚴(yán)格遵循職業(yè)道德標(biāo)準(zhǔn)，對于任何形式的抄襲行為，無論是文字還是圖形，一旦查實(shí)，均可能導(dǎo)致稿件被拒絕。
近年來，來自CHINA MAINLAND、USA、India、GERMANY (FED REP GER)、South Korea、England、Japan、France、Russia、Taiwan等國家和地區(qū)的研究者在《Semiconductor Science And Technology》上發(fā)表了大量的高質(zhì)量文章。該期刊內(nèi)容豐富，包括原創(chuàng)研究、綜述文章、專題觀點(diǎn)、論文預(yù)覽、專家意見等多種類型，旨在為全球該領(lǐng)域研究者提供廣泛的學(xué)術(shù)交流平臺和靈感來源。
在過去幾年中，該期刊保持了穩(wěn)定的發(fā)文量和綜述量，具體數(shù)據(jù)如下：
2014年：發(fā)表文章239篇、2015年：發(fā)表文章283篇、2016年：發(fā)表文章274篇、2017年：發(fā)表文章295篇、2018年：發(fā)表文章293篇、2019年：發(fā)表文章338篇、2020年：發(fā)表文章392篇、2021年：發(fā)表文章326篇、2022年：發(fā)表文章260篇、2023年：發(fā)表文章193篇。這些數(shù)據(jù)反映了期刊在全球工程技術(shù)領(lǐng)域的影響力和活躍度，同時也展示了其作為學(xué)術(shù)界和工業(yè)界研究人員首選資源的地位。《Semiconductor Science And Technology》將繼續(xù)致力于推動工程技術(shù)領(lǐng)域的知識傳播和科學(xué)進(jìn)步，為全球工程技術(shù)問題的解決貢獻(xiàn)力量。
期刊指數(shù)
- 影響因子：1.9
- 文章自引率：0.0526...
- Gold OA文章占比：10.23%
- CiteScore：4.3
- 年發(fā)文量：193
- 開源占比：0.0715
- SJR指數(shù)：0.411
- H-index：99
- SNIP指數(shù)：0.741
- OA被引用占比：0.0493...
- 出版國人文章占比：0.19
WOS期刊SCI分區(qū)（2023-2024年最新版）
| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 211 / 352 |
40.2% |
| 學(xué)科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 301 / 438 |
31.4% |
| 學(xué)科：PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q3 | 50 / 79 |
37.3% |
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 238 / 354 |
32.91% |
| 學(xué)科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 293 / 438 |
33.22% |
| 學(xué)科：PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q3 | 51 / 79 |
36.08% |
中科院分區(qū)表
中科院SCI期刊分區(qū) 2023年12月升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學(xué)科 | 小類學(xué)科 |
| 否 | 否 | 工程技術(shù) 4區(qū) |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：電子與電氣
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
材料科學(xué)：綜合
PHYSICS, CONDENSED MATTER
物理：凝聚態(tài)物理
4區(qū)
4區(qū)
4區(qū)
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CiteScore（2024年最新版）
CiteScore 排名
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore 排名 | ||||||||||||||||||||
| 4.3 | 0.411 | 0.741 |
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學(xué)術(shù)指標(biāo)分析
影響因子和CiteScore
自引率
影響因子：指某一期刊的文章在特定年份或時期被引用的頻率，是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個重要指標(biāo)。影響因子越高，代表著期刊的影響力越大 。
CiteScore：該值越高，代表該期刊的論文受到更多其他學(xué)者的引用，因此該期刊的影響力也越高。
自引率：是衡量期刊質(zhì)量和影響力的重要指標(biāo)之一。通過計算期刊被自身引用的次數(shù)與總被引次數(shù)的比例，可以反映期刊對于自身研究內(nèi)容的重視程度以及內(nèi)部引用的情況。
年發(fā)文量：是衡量期刊活躍度和研究產(chǎn)出能力的重要指標(biāo)，年發(fā)文量較多的期刊可能擁有更廣泛的讀者群體和更高的學(xué)術(shù)聲譽(yù)，從而吸引更多的優(yōu)質(zhì)稿件。
期刊互引關(guān)系
| 序號 | 引用他刊情況 | 引用次數(shù) |
| 1 | APPL PHYS LETT | 1311 |
| 2 | J APPL PHYS | 761 |
| 3 | PHYS REV B | 700 |
| 4 | IEEE T ELECTRON DEV | 412 |
| 5 | PHYS REV LETT | 332 |
| 6 | IEEE ELECTR DEVICE L | 277 |
| 7 | SEMICOND SCI TECH | 276 |
| 8 | NANO LETT | 236 |
| 9 | THIN SOLID FILMS | 162 |
| 10 | J CRYST GROWTH | 150 |
| 序號 | 被他刊引用情況 | 引用次數(shù) |
| 1 | J APPL PHYS | 337 |
| 2 | SEMICOND SCI TECH | 276 |
| 3 | PHYS REV B | 205 |
| 4 | MATER RES EXPRESS | 191 |
| 5 | APPL PHYS LETT | 185 |
| 6 | JPN J APPL PHYS | 169 |
| 7 | IEEE T ELECTRON DEV | 145 |
| 8 | SCI REP-UK | 134 |
| 9 | APPL SURF SCI | 118 |
| 10 | J MATER SCI-MATER EL | 118 |
高引用文章
- beta-Ga2O3 for wide-bandgap electronics and optoelectronics引用次數(shù)：59
- Phase-change materials for non-volatile memory devices: from technological challenges to materials science issues引用次數(shù)：53
- Metal oxide nanostructures for sensor applications引用次數(shù)：29
- How to control defect formation in monolithic III/V hetero-epitaxy on (100) Si? A critical review on current approaches引用次數(shù)：28
- Terahertz radiation detectors: the state-of-the-art引用次數(shù)：21
- Structural, electronic and phononic properties of PtSe2: from monolayer to bulk引用次數(shù)：19
- Wide-bandgap, low-bandgap, and tandem perovskite solar cells引用次數(shù)：18
- Biaxial strain tuned electronic structures and power factor in Janus transition metal dichalchogenide monolayers引用次數(shù)：17
- A comprehensive device modelling of perovskite solar cell with inorganic copper iodide as hole transport material引用次數(shù)：15
- The transport and optical sensing properties of MoS MoSe WS2 and WSe2 semiconducting transition metal dichalcogenides引用次數(shù)：15
