所屬分類： 加入收藏 SCIE 期刊 工程技術 中科院 1區(qū) JCR Q1
自然電子
自然電子雜志簡介
- 出版商：Springer Nature
- 出版語言：English
- TOP期刊：是
- 出版地區(qū)：ENGLAND
- 是否預警：否
- 是否OA：未開放
- 出版周期：12 issues per year
- 出版年份：2018
- 中文名稱：自然電子
- 是否OA：未開放
自然電子（國際簡稱NAT ELECTRON，英文名稱Nature Electronics）是一本未開放獲取（OA）國際期刊，自2018年創(chuàng)刊以來，始終站在工程技術研究的前沿。該期刊致力于發(fā)表在工程技術領域各個方面達到最高科學標準和具有重要性的研究成果。全面反映該學科的發(fā)展趨勢，為工程技術事業(yè)的進步提供了有力的支撐。期刊嚴格遵循職業(yè)道德標準，對于任何形式的抄襲行為，無論是文字還是圖形，一旦查實，均可能導致稿件被拒絕。
近年來，來自USA、CHINA MAINLAND、GERMANY (FED REP GER)、England、South Korea、Japan、Switzerland、France、Singapore、Australia等國家和地區(qū)的研究者在《Nature Electronics》上發(fā)表了大量的高質(zhì)量文章。該期刊內(nèi)容豐富，包括原創(chuàng)研究、綜述文章、專題觀點、論文預覽、專家意見等多種類型，旨在為全球該領域研究者提供廣泛的學術交流平臺和靈感來源。
在過去幾年中，該期刊保持了穩(wěn)定的發(fā)文量和綜述量，具體數(shù)據(jù)如下：
2014年：發(fā)表文章0篇、2015年：發(fā)表文章0篇、2016年：發(fā)表文章0篇、2017年：發(fā)表文章0篇、2018年：發(fā)表文章0篇、2019年：發(fā)表文章56篇、2020年：發(fā)表文章84篇、2021年：發(fā)表文章87篇、2022年：發(fā)表文章90篇、2023年：發(fā)表文章90篇。這些數(shù)據(jù)反映了期刊在全球工程技術領域的影響力和活躍度，同時也展示了其作為學術界和工業(yè)界研究人員首選資源的地位。《Nature Electronics》將繼續(xù)致力于推動工程技術領域的知識傳播和科學進步，為全球工程技術問題的解決貢獻力量。
期刊指數(shù)
- 影響因子：33.7
- 文章自引率：0.0233...
- Gold OA文章占比：11.99%
- CiteScore：47.5
- 年發(fā)文量：90
- 開源占比：0.0613
- SJR指數(shù)：11.667
- SNIP指數(shù)：6.365
- 出版國人文章占比：0.15
WOS期刊SCI分區(qū)（2023-2024年最新版）
| 按JIF指標學科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q1 | 1 / 352 |
99.9% |
| 按JCI指標學科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q1 | 1 / 354 |
99.86% |
中科院分區(qū)表
中科院SCI期刊分區(qū) 2023年12月升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 |
| 是 | 否 | 工程技術 1區(qū) |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：電子與電氣
1區(qū)
|
CiteScore（2024年最新版）
CiteScore 排名
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore 排名 | ||||||||||||||||
| 47.5 | 11.667 | 6.365 |
|
學術指標分析
影響因子和CiteScore
自引率
影響因子：指某一期刊的文章在特定年份或時期被引用的頻率，是衡量學術期刊影響力的一個重要指標。影響因子越高，代表著期刊的影響力越大 。
CiteScore：該值越高，代表該期刊的論文受到更多其他學者的引用，因此該期刊的影響力也越高。
自引率：是衡量期刊質(zhì)量和影響力的重要指標之一。通過計算期刊被自身引用的次數(shù)與總被引次數(shù)的比例，可以反映期刊對于自身研究內(nèi)容的重視程度以及內(nèi)部引用的情況。
年發(fā)文量：是衡量期刊活躍度和研究產(chǎn)出能力的重要指標，年發(fā)文量較多的期刊可能擁有更廣泛的讀者群體和更高的學術聲譽，從而吸引更多的優(yōu)質(zhì)稿件。
期刊互引關系
| 序號 | 引用他刊情況 | 引用次數(shù) |
| 1 | NATURE | 193 |
| 2 | NANO LETT | 145 |
| 3 | NAT NANOTECHNOL | 139 |
| 4 | SCIENCE | 139 |
| 5 | NAT COMMUN | 125 |
| 6 | APPL PHYS LETT | 123 |
| 7 | NAT ELECTRON | 119 |
| 8 | ADV MATER | 105 |
| 9 | NAT MATER | 101 |
| 10 | ACS NANO | 91 |
| 序號 | 被他刊引用情況 | 引用次數(shù) |
| 1 | NAT ELECTRON | 119 |
| 2 | ADV ELECTRON MATER | 76 |
| 3 | ADV FUNCT MATER | 76 |
| 4 | ACS APPL MATER INTER | 69 |
| 5 | ADV MATER | 56 |
| 6 | PHYS REV B | 44 |
| 7 | NANOSCALE | 43 |
| 8 | NAT COMMUN | 40 |
| 9 | SCI REP-UK | 38 |
| 10 | ACS NANO | 35 |
高引用文章
- The future of electronics based on memristive systems引用次數(shù)：181
- In-memory computing with resistive switching devices引用次數(shù)：157
- Wearable sweat sensors引用次數(shù)：138
- Analogue signal and image processing with large memristor crossbars引用次數(shù)：134
- Fully memristive neural networks for pattern classification with unsupervised learning引用次數(shù)：121
- Organic electronics for neuromorphic computing引用次數(shù)：111
- Untethered soft robotics引用次數(shù)：110
- Robust memristors based on layered two-dimensional materials引用次數(shù)：99
- Field-effect transistors made from solution-grown two-dimensional tellurene引用次數(shù)：98
- Electronic synapses made of layered two-dimensional materials引用次數(shù)：93
