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    IEEE Magnetics Letters

    英文名稱:Ieee Magnetics Letters   國際簡稱:IEEE MAGN LETT
    《Ieee Magnetics Letters》雜志由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版,本刊創刊于2010年,發行周期1 issue/year,每期雜志都匯聚了全球物理與天體物理領域的最新研究成果,包括原創論文、綜述文章、研究快報等多種形式,內容涵蓋了物理與天體物理的各個方面,為讀者提供了全面而深入的學術視野,為物理與天體物理-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC事業的進步提供了有力的支撐。
    中科院分區
    物理與天體物理
    大類學科
    1949-307X
    ISSN
    1949-3088
    E-ISSN
    預計審稿速度:
    雜志簡介 期刊指數 WOS分區 中科院分區 CiteScore 學術指標 高引用文章

    IEEE Magnetics Letters雜志簡介

    出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
    出版語言:English
    TOP期刊:
    出版地區:UNITED STATES
    是否預警:

    是否OA:未開放

    出版周期:1 issue/year
    出版年份:2010
    中文名稱:IEEE Magnetics Letters

    IEEE Magnetics Letters(國際簡稱IEEE MAGN LETT,英文名稱Ieee Magnetics Letters)是一本未開放獲取(OA)國際期刊,自2010年創刊以來,始終站在物理與天體物理研究的前沿。該期刊致力于發表在物理與天體物理領域各個方面達到最高科學標準和具有重要性的研究成果。全面反映該學科的發展趨勢,為物理與天體物理事業的進步提供了有力的支撐。期刊嚴格遵循職業道德標準,對于任何形式的抄襲行為,無論是文字還是圖形,一旦查實,均可能導致稿件被拒絕。

    近年來,來自USA、CHINA MAINLAND、Russia、Japan、GERMANY (FED REP GER)、South Korea、Spain、France、India、Italy等國家和地區的研究者在《Ieee Magnetics Letters》上發表了大量的高質量文章。該期刊內容豐富,包括原創研究、綜述文章、專題觀點、論文預覽、專家意見等多種類型,旨在為全球該領域研究者提供廣泛的學術交流平臺和靈感來源。

    在過去幾年中,該期刊保持了穩定的發文量和綜述量,具體數據如下:

    2014年:發表文章26篇、2015年:發表文章49篇、2016年:發表文章67篇、2017年:發表文章88篇、2018年:發表文章72篇、2019年:發表文章92篇、2020年:發表文章66篇、2021年:發表文章48篇、2022年:發表文章61篇、2023年:發表文章33篇。這些數據反映了期刊在全球物理與天體物理領域的影響力和活躍度,同時也展示了其作為學術界和工業界研究人員首選資源的地位。《Ieee Magnetics Letters》將繼續致力于推動物理與天體物理領域的知識傳播和科學進步,為全球物理與天體物理問題的解決貢獻力量。

    期刊指數

    • 影響因子:1.1
    • Gold OA文章占比:18.31%
    • CiteScore:2.4
    • 年發文量:33
    • 開源占比:0.2229
    • SJR指數:0.314
    • H-index:20
    • SNIP指數:0.505
    • OA被引用占比:0.0183...
    • 出版國人文章占比:0.12

    WOS期刊SCI分區(2023-2024年最新版)

    按JIF指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
    學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 278 / 352

    21.2%

    學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 152 / 179

    15.4%

    按JCI指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
    學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 284 / 354

    19.92%

    學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 148 / 179

    17.6%

    中科院分區表

    中科院SCI期刊分區 2023年12月升級版
    Top期刊 綜述期刊 大類學科 小類學科
    物理與天體物理 4區
    ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用
    4區 4區

    CiteScore(2024年最新版)

    CiteScore 排名
    CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
    2.4 0.314 0.505
    學科類別 分區 排名 百分位
    大類:Materials Science 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q3 189 / 284

    33%

    學術指標分析

    影響因子和CiteScore
    自引率

    影響因子:指某一期刊的文章在特定年份或時期被引用的頻率,是衡量學術期刊影響力的一個重要指標。影響因子越高,代表著期刊的影響力越大 。

    CiteScore:該值越高,代表該期刊的論文受到更多其他學者的引用,因此該期刊的影響力也越高。

    自引率:是衡量期刊質量和影響力的重要指標之一。通過計算期刊被自身引用的次數與總被引次數的比例,可以反映期刊對于自身研究內容的重視程度以及內部引用的情況。

    年發文量:是衡量期刊活躍度和研究產出能力的重要指標,年發文量較多的期刊可能擁有更廣泛的讀者群體和更高的學術聲譽,從而吸引更多的優質稿件。

    期刊互引關系
    序號 引用他刊情況 引用次數
    1 IEEE T MAGN 149
    2 PHYS REV B 135
    3 J APPL PHYS 114
    4 APPL PHYS LETT 109
    5 J MAGN MAGN MATER 87
    6 PHYS REV LETT 75
    7 IEEE MAGN LETT 42
    8 SCI REP-UK 34
    9 NATURE 28
    10 J ALLOY COMPD 26
    序號 被他刊引用情況 引用次數
    1 J MAGN MAGN MATER 61
    2 IEEE T MAGN 47
    3 IEEE MAGN LETT 42
    4 PHYS REV B 38
    5 APPL PHYS LETT 35
    6 PHYS REV APPL 22
    7 J APPL PHYS 16
    8 AIP ADV 15
    9 SCI REP-UK 14
    10 J PHYS D APPL PHYS 12

    高引用文章

    • Experimental Demonstration of a Josephson Magnetic Memory Cell With a Programmable pi-Junction引用次數:11
    • Experimental Validation of a Frequency-Selective Surface-Loaded Hybrid Metamaterial Absorber With Wide Bandwidth引用次數:10
    • Low-Barrier Magnet Design for Efficient Hardware Binary Stochastic Neurons引用次數:9
    • Equivalent Circuit Model for the Design of Frequency-Selective, Terahertz-Ban Graphene-Based Metamaterial Absorbers引用次數:7
    • Area-Efficient Nonvolatile Flip-Flop Based on Spin Hall Effect引用次數:7
    • Concurrent Core Loss Suppression and High Permeability by Introduction of Highly Insulating Intergranular Magnetic Inclusions to MnZn Ferrite引用次數:6
    • Reliability and Scalability of p-Bits Implemented With Low Energy Barrier Nanomagnets引用次數:5
    • Area-Efficient Multibit-per-Cell Architecture for Spin-Orbit-Torque Magnetic Random-Access Memory With Dedicated Diodes引用次數:5
    • Micromagnetic Analysis of Statistical Switching in Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions With Double Reference Layers引用次數:5
    • Reliable Five-Nanosecond Writing of Spin-Transfer Torque Magnetic Random-Access Memory引用次數:5
    若用戶需要出版服務,請聯系出版商:445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。

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